二极管按照用处分为以下几类 1、检波用二极管 就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的巨细(100mA)作为界限通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗资料点触摸型、作业频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 2、整流用二极管 就原理而言,从输入沟通中得到输出的直流是整流。以整流电流的巨细(100mA)作为界限通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型,作业频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档。分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆作业频率近100KHz的2CLG型。 3、限幅用二极管 大大都二极管能作为限幅运用。 也有象保护外表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有格外强的约束尖利振幅的效果,通常运用硅资料制造的二极管。也有这样的组件出售:根据约束电压需求,把若干个必要的整流二极管串联起来构成一个全体。 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。即是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即便其它变容二极管也有调制用处,但它们通常是直接作为调频用。 5、混频用二极管 运用二极管混频方法时,在500~10,000Hz的频率范围内,多选用肖特基型和点触摸型二极管。 6、扩大用二极管 用二极管扩大,大致有依托地道二极管和体效应二极管那样的负阻性器材的扩大,以及用变容二极管的参量扩大。因此,扩大用二极管通常是指地道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管 有在小电流下(10mA程度)运用的逻辑运算和在数百毫安下运用的磁芯鼓励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点触摸型和键型等二极管,也有在高温下还也许作业的硅分散型、台面型平和面型二极管。开关二极管的专长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时刻特短,因此是抱负的开关二极管。2AK型点触摸为中速开关电路用;2CK型平面触摸为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。 8、变容二极管 用于自动频率操控(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它很多叫法。通过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发作改动。因此,被运用于自动频率操控、扫描振动、调频和调谐等用处。通常,虽然是选用硅的分散型二极管,可是也可选用合金分散型、外延联系型、两层分散型等特别制造的二极管,因为这些二极管关于电压而言,其静电容量的改动率格外大。结电容随反向电压VR改动,取代可变电容,用作调谐回路、振动电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道变换和调谐电路,多以硅资料制造。 9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增效果而言,有依托变容二极管的频率倍增和依托阶跃(即剧变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率操控用的变容二极管的作业原理相同,但电抗器的结构却能接受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃康复二极管,从导通切换到封闭时的反向康复时刻trr短,因此,其专长是急速地成为封闭的搬运时刻显著地短。假如对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(搬运时刻)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能发作很多高频谐波。 10、稳压二极管 是替代稳压电子二极管的商品。被制造成为硅的分散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤改动的二极管。作为操控电压和标准电压运用而制造的。二极管作业时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分红很多等级。在功率方面,也有从200mW至100W以上的商品。作业在反向击穿状况,硅资料制 作,动态电阻RZ很小,通常为 2CW型;将两个互补二极管反向串接以削减温度系数则为2DW型。 11、PIN型二极管(PIN Diode) 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)结构的晶体二极管。PIN中的I是"本征"含义的英文略语。当其作业频率超越100MHz时,因为少量载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时刻效应,其二极管失掉整流效果而成为阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改动。在零偏置或直流反向偏置时,"本征"区的阻抗很高;在直流正向偏置时,因为载流子写入"本征"区,而使"本征"区呈现出低阻抗状况。因此,能够把PIN
二极
管作为可变阻抗元件运用。它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。 12、 雪崩二极管(Avalanche Diode) 它是在外加电压效果下能够发作高频振动的晶体管。发作高频振动的作业原理是栾的:使用雪崩击穿对晶体写入载流子,因载流子渡越晶片需求必定的时刻,所以其电流滞后于电压,呈现延迟时刻,若适当地操控渡越时刻,那么,在电流和电压关系上就会呈现负阻效应,然后发作高频振动。它常被应用于微波范畴的振动电路中。 13、江崎二极管(Tunnel Diode) 它是以地道效应电流为首要电流重量的晶体二极管。其基底资料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。地道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所发作。发作地道效应具有如下三个条件:①费米能级坐落导带和满带内;②空间电荷层宽度有必要很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的也许性。江崎二极管为双端子有源器材。其首要参数有峰谷电流比(IP/PV),其间,下标"P"代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管能够被应用于低噪声高频扩大器及高频振动器中(其作业频率可达毫米波段),也能够被应用于高速开关电路中。 14、疾速关断(阶跃康复)二极管(Step Recovary Diode) 它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是:在PN结边界处具有峻峭的杂质分布区,然后构成"自助电场"。因为PN结在正向偏压下,以少量载流子导电,并在PN结邻近具有电荷存贮效应,使其反向电流需求阅历一个"存贮时刻"后才干降至最小值(反向饱和电流值)。阶跃康复二极管的"自助电场"缩短了存贮时刻,使反向电流疾速截止,并发作丰厚的谐波重量。使用这些谐波重量可规划出梳状频谱发作电路。疾速关断(阶跃康复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中。 15、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode) 二极管电路 它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。其正向开始电压较低。其金属层除资料外,还能够选用金、钼、镍、钛等资料。其半导体资料选用硅或砷化镓,多为N型半导体。这种器材是由大都载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少量载流子导电的PN结大得多。因为肖特基二极管中少量载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时刻常数约束,因此,它是高频和疾速开关的抱负器材。其作业频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管能够用来制造太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管 具有较高的反向作业电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。 17、瞬变电压按捺二极管 TVP管,对电路进行疾速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类。 18、双基极二极管(单结晶体管) 两个基极,一个发射极的三端负阻器材,用于张驰振动电路,守时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等长处。 19、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓资料制成,体积小,正向驱动发光。作业电压低,作业电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 20.、硅功率开关二极管 硅功率开关二极管具有高速导通与截止的才能。它首要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有康复特性软、过载才能强的长处、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。 21、旋转二极管 首要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用。
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